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      5.8G雷達芯片

      FW8101D

      所屬分類(lèi): 5.8G雷達芯片

      產(chǎn)品簡(jiǎn)介:1產(chǎn)品描述工作在 5.8GHzISM頻段基于多普勒原理的微波傳感器滿(mǎn)足遠距離需求支持超低功耗工作滿(mǎn)足 FCC及可靠性認證小尺寸封裝 QFN16 3×3mm2 FW8101D 是一款 1 發(fā) 1 收低功耗遠距離微波雷達芯片,工作在 ISM 認證頻段范圍內,該芯

      產(chǎn)品詳情

      1   產(chǎn)品描述

        

      •  工作在 5.8GHz ISM 頻段

      •  基于多普勒原理的微波傳感器

      •  滿(mǎn)足遠距離需求

      •  支持超低功耗工作

      •  滿(mǎn)足 FCC 及可靠性認證

      •  小尺寸封裝 QFN16 3×3mm2

          FW8101D 是一款 1 發(fā) 1 收低功耗遠距離微波雷達芯片,工作在 ISM 證頻段范圍內,該芯片內部集成低噪聲放大器(LNA)、壓控振蕩器(VCO)、率放大器(PA) 、混頻器(Mixer) 、中頻放大器(IF)等模塊, 具有優(yōu)良的中頻底噪。FW8101D 采用無(wú)鉛 QFN16 表面貼裝封裝,封裝尺寸僅 3×3mm, 其外圍電路僅需 10 個(gè), 降低了客戶(hù)外圍電路成本和空間。

      應用場(chǎng)景推薦:人體存在感應、移動(dòng)目標感應、智能家居、屏幕喚醒、 光遙感。

       

      2    電氣特性

       

      2.1極限測試

        

       

      parameter

       

      Symbol

      Values

       

      Unit

      Note/Test

      Condition

      Min

      Typ

      Max

      Supply Voltage

      VDD

      0

      -

      5.5

      V

      -

      Ambient temperature range

      TA

      -25

      -

      85

      -

      Storage temperature range

      TSTG

      -40

      -

      175

      -

       



      2.2技術(shù)指標

        

       

      parameter

       

      Symbol

      Values

       

      Unit

      Note/Test

      Condition

      Min

      Typ

      Max

      Supply Voltage

      VDD

      4.7

      -

      5.3

      V

      -

      Supply Current

      Icc


      9

      10

      mA

      -

      RF Frequency Range

      FRF

      5725

      -

      5875

      MHz

      -

      IF Frequency Range

      FIF

      5

      -

      240

      Hz

      -

      RF Output Power

      PRFOUT

      -6

      -7

      -8

      dBm

      -

      RX NF

      NF


      10

      15

      dB

      -

       

      2.3靜電特性

        

       

      parameter

       

      Symbol

      Values

       

      Unit

      Note/Test

      Condition

      Min

      Typ

      Max

      HBM

      VESD+HBM

      -500

      -

      500

      V

      ALL Pins

      CDM

      TESD+CDM

      -2

      -

      2

      KV

      ALL Pins

       

      3   原理設計

       

      FW8101D 芯片原理如下,芯片內部產(chǎn)生微波信號源,經(jīng)過(guò) Tx 天線(xiàn)向外輻射, 在空氣中遇到運動(dòng)物體, 返回一個(gè)回波信號, 通過(guò) Rx 天線(xiàn)接收信號,兩個(gè)信號 間存在一定的頻率差, 即多普勒效應, 再通過(guò)芯片內部的混頻器得到中頻信號,

      采集該信號,從而分析和實(shí)現微波傳感功能。

      圖片1.png

                             圖 1 系統框架圖

      4   芯片引腳定義


      圖片2.png

                                              圖 2 芯片引腳

      Table1 FW8101D PIN 說(shuō)明

       

      管腳號

      標簽

      描述

      1,2

      Cap/P,Mixer/P

      中頻隔直電容

      3,16

      Cap/N,Mixer/N

      中頻隔直電容

      4,9

      VDD

      入電源電壓 5V

      5

      Rx

      天線(xiàn)接收端口

      6,7,15

      NC

      懸空

      8

      Tx

      天線(xiàn)發(fā)射端口

      10

      O/P

      中頻放大器信號輸出

      11,12

      Res2/P,Res2/N

      中頻放大器反饋電阻電容

      13,14

      Res1/P,Res1/N

      中頻放大器反饋電阻電容


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